Untuk meningkatkan kecekapan panel solar , adalah perlu untuk meningkatkan voltan litar terbuka Uoc, ISC arus litar pintas, dan faktor isian FF. Ketiga-tiga faktor ini selalunya saling dihalang. Jika salah satu daripada mereka meningkat secara unilateral, ia mungkin mengurangkan yang lain, supaya kecekapan keseluruhan tidak bertambah baik tetapi menurun. Oleh itu, ia mesti diambil kira semasa memilih bahan dan proses mereka bentuk, dan berusaha untuk memaksimumkan produk ketiga-tiga faktor tersebut.

Voltan litar terbuka UOC meningkat dengan peningkatan lebar jalur tenaga Cth, tetapi sebaliknya, ketumpatan arus litar pintas berkurangan dengan peningkatan lebar jalur tenaga Cth. Akibatnya, kemuncak kecekapan sel suria boleh dijangka berlaku pada Cth tertentu. Kecekapan tertinggi dijangka dicapai dengan menggunakan bahan dengan nilai Cth antara 1.2 dan 1.6 eV untuk membuat sel solar. Semikonduktor celah jalur langsung adalah lebih baik untuk bateri filem nipis kerana ia menyerap foton berhampiran permukaan.

Panjang resapan foton meningkat sedikit dengan peningkatan suhu, jadi arus fotogenerasi juga meningkat dengan peningkatan suhu, tetapi UOC berkurangan secara mendadak dengan peningkatan suhu. Faktor isian berkurangan, jadi kecekapan penukaran berkurangan dengan peningkatan suhu. Dengan peningkatan sinaran, arus litar pintas meningkat secara linear, dan kuasa maksimum meningkat secara berterusan. Memfokuskan cahaya matahari pada sel suria membolehkan sel suria kecil menjana sejumlah besar tenaga elektrik. Faktor lain yang mempunyai kesan ketara ke atas UOC ialah kepekatan doping semikonduktor. Semakin tinggi kepekatan doping, semakin tinggi UOC. Walau bagaimanapun, apabila kepekatan kekotoran dalam silikon lebih tinggi daripada 1018/cm3, ia dipanggil doping tinggi. Pengecutan jurang jalur yang disebabkan oleh doping tinggi, kekotoran tidak dapat diion sepenuhnya dan jangka hayat pembawa minoriti dikurangkan, dsb., secara kolektif dipanggil kesan doping tinggi, dan juga harus dirawat elak.