Setakat ini, panel solar silikon monohabluran telah berkembang pesat dalam kedua-dua penyelidikan dan perindustrian.

Di antara banyak faktor yang mempengaruhi sel C-Si, peningkatan kualiti wafer silikon menjadikan penggabungan semula pukal lebih kecil dan lebih kecil, dan pembangunan lapisan pempasifan baru dan teknologi penyediaannya sangat mengurangkan penggabungan semula permukaan. Antaranya, penggabungan semula elektrod logam dan sentuhan C-Si menjadi faktor utama yang mempengaruhi kecekapan sel dan dianggap sebagai faktor pengehad terakhir yang hampir dengan kecekapan had teori. Untuk mengurangkan penggabungan semula pada titik sentuhan antara logam dan C-Si, di satu pihak, kawasan sentuhan langsung antara logam dan C-Si dikurangkan dengan membuka sebahagian lubang di belakang sel (termasuk PERC, PERL, dan PERT, dsb.). Walaupun kecekapan penukaran berada pada atau hampir 25%, masih terdapat sentuhan langsung antara logam dan C-Si dalam sel-sel ini, proses pembukaan bahagian belakang adalah rumit, dan ia akan menyebabkan kerosakan pada bahan silikon pada pembukaan.

Di samping itu, teknik pembukaan tempatan menjadikan pembawa bukan sahaja menyimpang dari laluan migrasi berserenjang dengan permukaan sentuhan tetapi juga mungkin sesak pada pembukaan, yang membawa kepada kehilangan faktor isian. Sebaliknya, skema sentuhan baru perlu dibangunkan yang boleh mencapai kedua-dua pempasifan permukaan yang sangat baik dan pemisahan dan pengangkutan pembawa tanpa memerlukan bukaan, iaitu, hubungan pempasifan selektif pembawa. Penyelesaian ini boleh merealisasikan pempasifan seluruh permukaan wafer silikon (termasuk kawasan sentuhan dan kawasan bukan sentuhan), dan pada masa ini, pembawa adalah pengangkutan satu dimensi antara elektrod pada kedua-dua hujung, yang bermanfaat untuk dapatkan faktor isian yang lebih tinggi, dan kemudian tingkatkan kecekapan penukarannya.